單晶硅壓力變送器具有響應(yīng)速度快、精度高、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)而廣受客戶的選用。但單晶硅壓力變送器的傳感器因采用了硅彈性材料的壓阻效應(yīng)、半導(dǎo)體工藝和MESM加工技術(shù)，使得其精度高、靈敏度高的同時(shí)也容易受溫度的影響。因傳感器易受溫度的影響，因此在壓力變送器的實(shí)際應(yīng)用時(shí)要進(jìn)行溫度漂移的補(bǔ)償。溫度漂移補(bǔ)償主要分為零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償和靈敏度溫度漂移補(bǔ)償。

       零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償是對(duì)惠斯頓電橋內(nèi)四個(gè)電阻初始值不匹配造成的零點(diǎn)漂移進(jìn)行補(bǔ)償，補(bǔ)償方法一般是采用在惠斯頓電橋上進(jìn)行串并聯(lián)電阻的方式進(jìn)行。零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償電路圖如圖一所示。其中R1-R4為惠斯頓電橋的四個(gè)電阻，串聯(lián)電阻Rs為調(diào)零電阻，并聯(lián)電阻為Rp為補(bǔ)償電阻。兩個(gè)電阻通常選擇溫度系數(shù)極小的材料制作而成。當(dāng)硅膜片無形變的時(shí)候，由于零點(diǎn)溫度漂移，VOUT 不為零。當(dāng)溫度升高時(shí)，假設(shè)R2 增加比較大，將使D點(diǎn)電位低于B點(diǎn)，VBD 即為零點(diǎn)的溫度漂移電壓值。在R2上串一個(gè)阻值較大的負(fù)溫度系數(shù)電阻Rp，使溫度升高時(shí)，用于抵消R2 的增加量，從而消除或減小VBD進(jìn)而達(dá)到補(bǔ)償?shù)哪康摹?/p>

       利用此種方法對(duì)零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償最關(guān)鍵的是找到溫度系數(shù)與惠斯頓電橋電阻溫度系數(shù)相反的補(bǔ)償電阻，深圳優(yōu)威儀表通過稀有材料精密激光切割的形式對(duì)補(bǔ)償電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)，使其硬件補(bǔ)償一致性做到完美匹配，為傳感器的測(cè)量精度提供最優(yōu)保障。

零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償電路圖